| 主权项 |
1.一种基板乾燥方法,其特征在于:在将基板收容在处理槽内,且使在处理槽内之洗净液的液面对于基板,一边相对地下降,一边将乾燥用流体供给到处理槽内,而让基板的表面乾燥之际,让乾燥用的流体,以液体的状态导入到处理槽内,利用喷嘴,形成乾燥用流体的液滴,而供给到洗净液面上。2.如申请专利范围第1项之基板乾燥方法,将基板在以一定的角度倾斜的状态下收容在处理槽内,利用喷嘴,将乾燥用流体的液滴供给到与倾斜的基板的方向同一个方向。3.如申请专利范围第1项或第2项之基板乾燥方法,为了使乾燥用流体能够沿着在洗净液之液面中之基板的整个宽度扩展,除了在将乾燥用流体导入到处理槽的具有方向性外,也设定乾燥用流体的导入初速。4.如申请专利范围第1项或第2项之基板乾燥方法,随着洗净液从处理槽排出,将惰性气体供给到处理槽。5.如申请专利范围第4项之基板乾燥方法,随着洗浮液从处理槽排出,增加乾燥用流体及/或惰性气体对处理槽的供给量。6.如申请专利范围第1项或第2项之基板乾燥方法,随着洗净液从处理槽排出,让基板之支承位置变化。7.如申请专利范围第5项之基板乾燥方法,在排出洗净液之前,将处理槽内部设定成惰性气体环境。8.如申请专利范围第1项或第2项之基板乾燥方法,洗净过程以及之后的乾燥过程是在室温下进行。9.如申请专利范围第1项或第2项之基板乾燥方法,藉由被供给到喷嘴的惰性气体来压送乾燥用流体。10.一种基板乾燥装置,其主要系针对一在处理槽内藉由支撑机构来支撑基板,且使在处理槽内之洗净液的液面对基板一边相对地下降,一边将乾燥用流体供给到处理槽内,藉此,让基板的表面乾燥的基板乾燥装置,其特征在于:包含一将乾燥用流体以液体的状态导入到处理槽内,利用喷嘴形成乾燥用流体的液滴,而供给到洗净液面上之乾燥用流体供给机构。11.如申请专利范围第10项之基板乾燥装置,上述支撑机构系用来使基板在倾斜一定的角度的状态下支撑在处理槽内,而上述喷嘴系用来使乾燥用流体的液滴供给到与倾斜的基板的方向同一个方向。12.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,上述乾燥用流体供给机构系用来使乾燥用流体能够沿着洗净液之液面中的基板的整个宽度,除了使乾燥用流体导入到处理槽内时具有方向性外,也设定乾燥用流体的导入初速。13.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,更包含随着洗净液从处理槽排出,将惰性气体供给到处理槽的惰性气体供给机构。14.如申请专利范围第13项之基板乾燥装置,更包含一随着洗净液从处理槽排出,增加乾燥用流体及/或惰性气体对处理槽的供给量的供给量控制机构。15.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,上述支撑机构系一相对于基板支撑位置向下连续具有洗净波导入用沟者。16.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,上述支撑机构系一用来选择性地支撑基板之彼此不同之位置的1对的支撑机构,更包含一随着洗净液从处理槽排出,会让支撑机构对基板的支撑位置变化的支撑位置控制机构。17.如申请专利范围第14项之基板乾燥装置,更包含在排出洗净液之前,将处理槽内部设定在惰性气体环境的环境设定机构。18.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,更包含一随着洗净液从处理槽排出,会让喷嘴接近于基板的喷嘴位置控制机构。19.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,包含一在不喷出时,会让乾燥用流体循环的循环机构。20.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,喷嘴的设置个数系根据基板尺寸、基板间距而被设定。21.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,喷嘴具有数目只较同时应该被乾燥之基板之数目多1个的乾燥用流体喷出孔。22.如申请专利范围第10项或第11项之基板乾燥装置,更包含一将惰性气体供给到要压送乾燥用流体之喷嘴的惰性气体供给机构。图式简单说明:第一图系表适用本发明之基板乾燥方法之基板处理装置之一构成例的概略图。第二图系表第1基板支撑部之构造的放大纵断面图。第三图系表基板处理装置之其他构造例之主要部分的概略图。第四图系表基板处理装置之又一其他构造例之主要部分的概略图。第五图系表基板处理装置之又一其他构造例的概略图。第六图系表基板处理装置之又一其他构造例之主要部分的概略图。第七图系表乾燥用流体喷嘴之下降状态的概略图。第八图系表基板处理装置之又一其他构造例之主要部分的概略图。第九图系表洗净液减少状态之概略纵断面图。第十图系表基板授受动作状态之概略纵断面图。第十一图系表在基板授受后之状态的概略纵断面图。第十二图系表基板处理装置之又一其他构造例之主要部分的概略图。第十三图系表适用在第十二图之基板处理装置之基板的放大纵断面图。第十四图系表基板处理装置之又一其他构造例之主要部分的概略图。 |
