包括能带工程超晶格的半导体装置

摘要

一种半导体装置包括超晶格，从而包括多个堆叠层组。每个超晶格组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。而且，能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内。因此，该超晶格可在平行方向上比其它情形中高的载流子迁移率。

主权项

一种半导体装置，其包括：超晶格，其包括多个堆叠的层组；每个所述超晶格的层组包括多个堆叠的基半导体原子层，该基半导体原子层限定基半导体部分和其上的能带修饰层；所述层组以第一和第二层组交替的方式布置，每个第一层组包括三个基半导体原子层，且每个第二层组包括5个基半导体原子层；所述能带修饰层包括至少一个非半导体原子层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内；其中非半导体原子层中不是所有可能的用于非半导体原子的点都被非半导体原子占据。