| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体基板,其特征为:使由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的源极端子直接连接于源极配线。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中上述源极配线为铝,铜,钼,铬,钛及钨的其中一种或其合金。3.一种薄膜电晶体基板,其特征为:使由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的源极端子直接于源极配线。4.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体基板,其中上述闸极配线为铝,铜,钼,铬,钛及钨的其中一种或其合金。5.一种薄膜电晶体基板,其特征为:使由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的像素电极直接于形成分别开关复数个像素电极薄电晶体之汲极电极。6.如申请专利范围第5项之薄膜电晶体基板,其中上述汲极配线为铝,铜,钼,铬,钛及钨的其中一种或其合金。7.一种薄膜电晶体基板,其特征为:在至少表面为绝缘性的基板上使复数的闸极配线与复数的源极配线形成矩阵状,并且分别在藉由这些配线所围绕的各领域中设置像素电极的同时,使连接于该像素电极与上述闸极配线及上述源极配线,然后分别设置作为上述像素电极的开关元件之薄膜电晶体,而且分别在上述闸极配线直接连接由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的闸极端子,分别在上述源极配线直接连接由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的源极端子,使由铟锡锌氧化物或铟锌氧化物所构成的像素电极直接连接于形成上述薄膜电晶体的汲极电极。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体基板,其中上述铟锡锌氧化物是由包含铟氧化物和锡氧化物与锌氧化物的复合氧化物所构成,对锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为1at%-9at%,对锌之锡的原子数比率为20at%以上,且对锌和铟与锡的合计之锡的原子数比率为20at%以下,同时至少一部份具有结晶性。9.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体基板,其中上述铟锡锌氧化物是由包含铟氧化物和锡氧化物与锌氧化物的复合氧化物所构成,对锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为1at%-9at%,对锌之锡的原子数比率为20at%以上,且对锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为20at%以下,同时至少一部份具有结晶性。10.如申请专利范围第5项之薄膜电晶体基板,其中上述铟锡锌氧化物是由包含铟氧化物和锡氧化物与锌氧化物的复合氧化物所构成,对锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为1at%-9at%,对锌之锡的原子数比率为20at%以上,且对锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为20at%以下,同时至少一部份具有结晶性。11.如申请专利范围第7项之薄膜电晶体基板,其中上述铟锡锌氧化物是由包含铟氧化物和锡氧化物与锌氧化物的复合氧化物所构成,对锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为1at%-9at%,对锌之锡的原子数比率为20at%以上,且对锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为20at%以下,同时至少一部份具有结晶性。12.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体基板,其中对上述锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为2at%-7at%,对上述锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为5at%~10at%。13.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体基板,其中对上述锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为2at%-7at%,对上述锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为5at%~10at%。14.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体基板,其中对上述锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为2at%-7at%,对上述锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为5at%~10at%。15.如申请专利范围第11项之薄膜电晶体基板,其中对上述锌和铟与锡的合计量之锌的原子数比率为2at%-7at%,对上述锌和铟与锡的合计量之锡的原子数比率为5at%~10at%。16.一种液晶显示装置,其特征是在挟持液晶的一对基板的一方基板使用申请专利范围第1项所记载的薄膜电晶体基板。17.一种液晶显示装置,其特征是在挟持液晶的一对基板的一方基板使用申请专利范围第3项所记载的薄膜电晶体基板。18.一种液晶显示装置,其特征是在挟持液晶的一对基板的一方基板使用申请专利范围第5项所记载的薄膜电晶体基板。19.一种液晶显示装置,其特征是在挟持液晶的一对基板的一方基板使用申请专利范围第7项所记载的薄膜电晶体基板。图式简单说明:第1图是表示本发明之薄膜电晶体基板的第1实施形态的要部平面略图。第2图是表示第1图之薄膜电晶体基板的第1实施形态的要部剖面图。第3图是表示第1图之薄膜电晶体基板的第1实施形态的一部份剖面图。第4图是供以说明制造第1图-第3图的第1实施形态的构造之方法,是表示在基板上层叠半导体膜与绝缘膜的状态的剖面图。第5图是供以说明同上方法,是表示在基板上形成闸极绝缘膜与闸极电极的剖面图。第6图是供以说明同上方法,是表示在基板上形成绝缘膜的状态的剖面图。第7图是供以说明同上方法,是表示在基板上的绝缘膜中形成接触孔,将源极电极汲极电极连接于半导体主动膜的状态的剖面图。第8图是供以说明同上方法,是表示分别在源极配线端部与汲极电极端部直接连接源极端子与像素电极的状态的剖面图。第9图是表示本发明之薄膜电晶体基板的第2实施形态的要部平面略图。第10图是供以说明制造第9图的第2实施形态的构造之方法,是表示在基板上形成闸极电极与闸极配线的状态的剖面图。第11图是供以说明同上方法,是表示在基板上形成闸极绝缘膜,半导体主动膜,电阻接触膜及金属膜的剖面图。第12图是供以说明同上方法,第12A图是表示将基板上的金属膜与电阻接触膜及闸极绝缘膜的必要部份形成图案的状态的剖面图,第12B图是表示形成像素电极与端子后所取得的薄膜电晶体的第2实施形态的剖面图。第13图是表示本发明之薄膜电晶体基板的第3实施形态的要部平面略图。第14图是供以说明制造第13图的第3实施形态的构造之方法,是表示在基板上形成闸极电极与闸极配线的状态的剖面图。第15图是供以说明同上方法,是表示在基板上层叠闸极绝缘膜,半导体主动膜及金属膜的状态的剖面图。第16图是供以说明同上方法,是表示在基板上的闸极电极上方的闸极绝缘膜上形成岛状的电阻接触膜与半导体主动膜的状态的剖面图。第17图是供以说明同上方法,是表示在基板上的电阻接触膜与半导体主动膜上形成电极膜的状态。第18图是供以说明同上方法,是表示在闸极电极上方形成薄膜电昌体的状态的剖面图。第19图是供以说明同上方法,是表示形成像素电极与端子后取得图13所示之平面构造的薄膜电晶体基板的状态的剖面图。第20图是在第19所示之构造的薄膜电晶体中显示源极配线端子部份的剖面图。第21图是表示ITO膜的X线绕射试验结果。第22图是表示ITZO膜的X线绕射试验结果。第23图是表示IZO膜的X线绕射试验结果。第24图是表示本发明之氧化物透明导电膜为形成结晶化态或非晶形状态时的锌含量依存性与锡含量依存性。第25图是表示本发明之氧化物透明导电膜的锡添加量对蚀刻量依存性。第26图是表示本发明之氧化物透明导电膜的光透过率的波长依存性。第27图是表示本发明之氧化物透明导电膜的比阻抗値对成膜时的氧气分压依存性与ITO膜的蚀刻率对成膜时的氧气分压依存性。第28图是表示本发明之氧化物透明导电膜的TCP连接阻抗的可靠性试验极果。第29图是表示习知薄膜电晶体基板的一例的平面略图。第30图是表示第29图所示之习知薄膜电晶体基板的要部剖面图。第31图是表示第29图所示之习知薄膜电晶体基板的部份剖面图。第32图是供以说明制造习知薄膜电晶体基板的方法,是表示在基板上形成岛状的半导体膜与下部绝缘膜的状态的剖面图。第33图是供以说明同上方法,是表示在下部绝缘膜上形成闸极绝缘膜与闸极电极的状态的剖面图。第34图是供以说明同上方法,是表示形成源极电极与汲极电极的状态的剖面图。第35图是供以说明同上方法,是表示形成钝化膜的状态的剖面图。第36图是供以说明同上方法,是表示在钝化膜中形成接触孔的状态的剖面图。第37图是供以说明同上方法,是表示形成ITO的像素电极与端子电极的状态的剖面图。 |
