| 主权项 |
1.一种改善静电放电强度之方法,系在基体上包含有核心记忆体单元区域和周边区域之非易失性记忆体中,在周边区域至少包含有一个电晶体之源极和汲极区,该至少一个电晶体之源极和汲极区是由通道区域分隔,用于改善非易失性记忆体静电放电(ESD)强度,此方法包含有下列步骤:(a)以第一掺杂剂微掺杂源极和汲极区;(b)提供在核心记忆体单元区域上具有一个开口,和在周边区域上具有一个开口之双扩散植入光罩;和(c)经由在周边区域上之开口执行双扩散植入,执行双扩散植入之步骤包含有下列步骤:(1)将第二掺杂剂植入源极和汲极区;和(2)在植入第二掺杂剂之步骤后将第三掺杂剂植入源极和汲极区。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含有在通道区提供闸极氧化物之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,更包含有在以第一掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤前在闸极氧化物上提供闸极之步骤。4.如申请专利范围第3项之方法,更包含有绕着闸极提供间隔壁氧化物之步骤。5.如申请专利范围第3项之方法,其中闸极包含有多晶矽闸极。6.如申请专利范围第3项之方法,其中闸极具有的长度大约为1.1m,而通道区所具有的有效通道长度大约为0.7m。7.如申请专利范围第6项之方法,其中在闸极和通道区之间的闸极氧化物所具有的厚度大约为160。8.如申请专利范围第1项之方法,更包含有在源极区上提供源极和在汲极区上提供汲极之步骤。9.如申请专利范围第1项之方法,其中前述的至少一个的电晶体包含有N型金氧半导体(NMOS)电晶体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中第二掺杂剂包含有磷,而第三掺杂剂包含有砷。11.如申请专利范围第10项之方法,其中执行双扩散植入之步骤包含有将磷和砷植入深度大约0.23m处之步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,其中第二掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约3x1015cm-2至大约6x1015cm-2之范围内。13.如申请专利范围第10项之方法,其中第三掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约1x1014cm-2至大约3x1014cm-2之范围内。14.如申请专利范围第9项之方法,其中第一掺杂剂包含有磷。15.如申请专利范围第14项之方法,其中第一掺杂剂所具有的植入掺杂剂量大约是3x1015cm-2。16.如申请专利范围第14项之方法,其中以第一掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤包含有将磷扩散至大约0.2m深度之步骤。17.一种改善非易失性记忆体静电放电强度之方法,此非易失性记忆体系在基体上包含有核心记忆体单元区域和周边区域,在周边区域至少包含有一个N型金氧半导体(NMOS)电晶体之源极和汲极区,该至少一个NMOS电晶体之源极和汲极区是由通道区域分隔,此用于改善非易失性记忆体静电放电(ESD)强度之方法包含有下列步骤:(a)以包含有磷之第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区;(b)提供在核心记忆体单元区域上具有一个开口,和在周边区域上具有一个开口之双扩散植入光罩;和(c)经由在周边区域上之开口执行双扩散植入,执行双扩散植入之步骤包含有下列步骤:(i)将包含有磷之第二N型掺杂剂植入源极和汲极区;和(ii)在植入第二N型掺杂剂之步骤后将包含有砷之第三N型掺杂剂植入源极和汲极区。18.如申请专利范围第17项之方法,更包含有在通道区提供闸极氧化物之步骤。19.如申请专利范围第18项之方法,更包含有在以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤前在闸极氧化物上提供闸极之步骤。20.如申请专利范围第19项之方法,更包含有绕着闸极提供间隔壁氧化物之步骤。21.如申请专利范围第19项之方法,其中闸极包含有多晶矽闸极。22.如申请专利范围第19项之方法,其中闸极具有的长度大约为1.1m,而通道区所具有的有效通道长度大约为0.7m。23.如申请专利范围第22项之方法,其中在闸极和通道区之间的闸极氧化物所具有的厚度大约为160。24.如申请专利范围第17项之方法,更包含有在源极区上提供源极和在汲极区上提供汲极之步骤。25.如申请专利范围第17项之方法,其中第二N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约3x1015cm-2至大约6x1015cm-2之范围内。26.如申请专利范围第25项之方法,其中第三N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约1x1014cm-2至大约3x1014cm-2之范围内。27.如申请专利范围第26项之方法,其中执行双扩散植入之步骤包含有将磷和亚磷物植入至深度大约0.23m处之步骤。28.如申请专利范围第17项之方法,其中第一N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量大约是3x1015cm-2。29.如申请专利范围第28项之方法,其中以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤包含有将磷扩散至深度大约0.2m处之步骤。30.一种改善非易失性记忆体静电放电强度之方法,此非易失性记忆体系在基体上包含有核心记忆体单元区域和周边区域,在周边区域至少包含有一个N通道金氧半导体(NMOS)电晶体之源极和汲极区,该至少一个NMOS电晶体之源极和汲极区是由通道区域分隔,此用于改善非易失性记忆体静电放电(ESD)强度之方法包含有下列步骤:(a)在通道区提供闸极氧化物;(b)在闸极氧化物上提供闸极;和(c)以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区;(d)提供在核心记忆体单元区域上具有一个开口,和在周边区域上具有一个开口之双扩散植入光罩;(e)经由在周边区域上之开口执行双扩散植入,执行双扩散植入之步骤包含有下列步骤:(i)将第二N型掺杂剂植入源极和汲极区;和(ii)在植入第二N型掺杂剂之步骤后将第三N型掺杂剂植入源极和汲极区;(f)绕着闸极提供间隔壁氧化物;和(g)在源极区上提供源极和在汲极区上提供汲极。31.如申请专利范围第30项之方法,其中闸极包含有多晶矽闸极。32.如申请专利范围第30项之方法,其中闸极具有的长度大约为1.1m,而通道区所具有的有效通道长度大约为0.7m。33.如申请专利范围第32项之方法,其中在闸极和通道区之间的间隔壁氧化物所具有的厚度大约为160。34.如申请专利范围第30项之方法,其中第二N型掺杂剂包含有磷,而第三N型掺杂剂包含有砷。35.如申请专利范围第34项之方法,其中执行双扩散植入之步骤包含有将磷和亚磷物植入至深度大约0.23m处之步骤。36.如申请专利范围第35项之方法,其中以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤包含有将第一N型掺杂剂扩散至深度大约0.2m处之步骤。37.如申请专利范围第34项之方法,其中第二N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约3x1015cm-2至大约6x1015cm-2之范围内。38.如申请专利范围第37项之方法,其中第三N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约1x1014cm-2至大约3x1014cm-2之范围内。39.如申请专利范围第34项之方法,其中第一N型掺杂剂包含有磷。40.如申请专利范围第39项之方法,其中第一N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量大约是3x1015cm-2。41.一种改善非易失性记忆体静电放电强度之方法,此非易失性记忆体系在基体上包含有核心记忆体单元区域,此用于改善非易失性记忆体静电放电(ESD)强度之方法包含有下列步骤:(a)在基体上提供与核心记忆体单元区域分开之周边区域;(b)在周边区域上为至少一个的N型金氧半导体(NMOS)提供源极和汲极区;(c)在源极和汲极区之间为该至少一个电晶体提供通道区;(d)以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区;(e)提供在核心记忆体单元区域上具有一个开口,和在周边区域上具有一开口之双扩散植入光罩;(f)经由在周边区域上之开口执行双扩散植入,执行双扩散植入之步骤包含有下列步骤:(i)将第二N型掺杂剂植入源极和汲极区;和(ii)在植入第二N型掺杂剂之步骤后将第三N型掺杂剂植入源极和汲极区。42.如申请专利范围第41项之方法,更包含有在通道区上提供闸极氧化物之步骤。43.如申请专利范围第42项之方法,更包含有在以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤前在闸极氧化物上提供闸极之步骤。44.如申请专利范围第43项之方法,更包含有绕着闸极提供间隔壁氧化物之步骤。45.如申请专利范围第43项之方法,其中闸极包含有多晶矽闸极。46.如申请专利范围第43项之方法,其中闸极具有的长度大约为1.1m,而通道区所具有的有效通道长度大约为0.7m。47.如申请专利范围第46项之方法,其中在闸极和通道区之间的闸极氧化物所具有的厚度大约为160。48.如申请专利范围第41项之方法,更包含有在源极区上提供源极和在汲极区上提供汲极。49.如申请专利范围第41项之方法,其中第二N型掺杂剂包含有磷,而第三N型掺杂剂包含有砷。50.如申请专利范围第49项之方法,其中执行双扩散植入之步骤包含有将磷和亚磷物植入至深度大约0.23m处之步骤。51.如申请专利范围第50项之方法,其中以第一N型掺杂剂微掺杂源极和汲极区之步骤包含有将第一N型掺杂扩散至深度大约0.2m处之步骤。52.如申请专利范围第49项之方法,其中第二N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约3x1015cm-2至大约6x1015cm-2之范围内。53.如申请专利范围第52项之方法,其中第三N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量是在大约1x1014cm-2至大约3x1014cm-2之范围内。54.如申请专利范围第49项之方法,其中第一N型掺杂剂包含有磷。55.如申请专利范围第54项之方法,其中第一N型掺杂剂所具有的植入掺杂剂量大约是3x1015cm-2。图式简单说明:第1图系显示在基体上具有核心记忆体单元区域和周边区域之非易失性记忆体的简化平面图;第2图系显示经由在双扩散植入光罩中之开口而看到之具有复数个电晶体之其中一周边区域之简化平面图,在光罩之核心记忆体单元区域上亦具有一开口;第3图系显示在沿着闸极周围提供间隙壁氧化物之前,沿着第2图周边区域内之电晶体的源极和汲极区之断面线101a-101b之剖面图;第4图系显示在提供有间隙壁氧化物、源极和汲极后之第3图之电晶体的剖面图;和第5图系显示第4图之电晶体的剖面图,其显示从汲极区至源极区之横向电流。 |
