发明名称 曝光装置
摘要 本发明的目标在于防止基材平坦度损坏及基材保持座的基材保持表面污染,此等现象系因光阻剂泄漏至基材背面造成。基材保持座的基材保持表面具有一第一对凹槽31及32沿扫瞄方向从一端延伸至另一端,及一第二对凹槽33及34沿与扫瞄方向垂直的方向从一端延伸至另一端。第一及第二凹槽定位成使得当基材水平或垂直放在基材保持座上时接触基材的四周。即使基材上光阻剂泄漏至基材背面的四周,该光阻剂也会流入凹槽内,因而防止基材平坦度损坏及基材保持座的基材保持表面污染。
申请公布号 TW492068 申请公布日期 2002.06.21
申请号 TW090101030 申请日期 2001.01.17
申请人 尼康股份有限公司;夏普股份有限公司 发明人 楢木 刚;西村 靖纪;桶谷 大亥
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种曝光装置,用以曝光一遮罩图案在一基材上,包括:一基材保持座,具有一基材保持表面以保持基材,基材保持表面具有第一对凹槽沿第1方向从一端伸向另一端及一第二对凹槽沿几乎垂直第一方向的第二方向从一端伸向另一端;及一基材台,用以保持基材保持座在第一方向移动。2.如专利申请范围第1项之曝光装置,其中该基材保持座包括一第一保持件供保持基材于由第一对凹槽界定的基材保持表面之第一边,及一第二保持件供保持基材由第二对凹槽界定的基材保持表面之第二区。3.如专利申请范围第2项之曝光装置,其中该基材保持座包括一选择器供选择第一保持件及第二保持件之一。4.如专利申请范围第1项之曝光装置,其中该基材的形状为矩形,及第一对凹槽之间的距离相当于矩形基材的短边长度。5.如专利申请范围第1项之曝光装置,其中该基材保持座系使用真空保持基材。6.如专利申请范围第1项之曝光装置,其中进一步包括一投影系统位于遮罩及基材之间以投影图案在基材上面。7.如专利申请范围第1项之曝光装置,其中该曝光装置为一种扫瞄型曝光装置。8.一种曝光装置,用以曝光一遮罩图案在一矩形基材上,包括:一基材保持座,具有一基材保持表面以保持矩形基材;一基材台,用以保持基材保持座在第一方向移动;及一侦测器,供侦测是否矩形基材已放在基材保持表面上面使得矩形基材的长边沿第一方向配置。9.如专利申请范围第8项之曝光装置,其中该基材保持座的形状为矩形,及基材保持座的短边设定成小于基材的长边。10.如专利申请范围第8项之曝光装置,其中该侦测器包括一真空感应器。11.如专利申请范围第8项之曝光装置,其中该基材保持座系使用真空保持基材。12.如专利申请范围第8项之曝光装置,其中进一步包括一投影系统位于遮罩及矩形基材之间以投影图案在矩形基材上面。13.如专利申请范围第8项之曝光装置,其中该曝光装置为一扫瞄型曝光装置。图式简单说明:图1为一示意图显示根据本发明具体实施例一扫瞄型曝光装置的构造;图2为一平面图显示一基材放置在一基材台上面;图3为一平面图显示一遮罩;图4为一平面图显示一基材保持座的例子;图5为一流程图显示一真空系统连接基材保持座;图6为一示意图显示一种方法用来放置基材在基材保持座上的例子;图7为一示意图显示另一种方法用来放置基材在基材保持座上的例子;图8为一沿图7切线x-x'的示意断面图;图9为一示意图显示基材运送从一涂膜发展器至一曝光装置;图10为一示意图显示一基材由一基材保持座保持;图11为一示意图显示在基材上印刷6个17寸SXGA LCD板的一种状态;图12为一流程图显示扫瞄曝光步骤程序的例子;图13为一示意图显示一基材保持座的一尺寸;图14为一示意图显示一基材放置在一基材保持座上面;及图15为一示意图显示在一基材上印刷6个17寸SXGA LCD板的一种状态。
地址 日本