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1.一种在基底上沉积选自由二氧化矽和氧氮化矽所组成的族群的含氧矽化合物膜的方法,该方法系通过在高温下让二(叔丁基氨基)矽烷,当所述矽化合物是二氧化矽时与选自氧、臭氧和其混合物所组成的族群的反应气体反应,或者当所述矽化合物是氧氮化矽时与选自氧化氮、氨和其混合物所组成的族群的反应气体反应来进行,其中该基底的温度范围为500-800℃;压力为20毫托至1大气压;该反应气体与矽烷的莫耳比大于1:1;及该基底是矽。2.如申请专利范围第1项的方法,其中基底是一电子元件。3.如申请专利范围第1项的方法,其中基底是一平板显示器。4.一种用于在一反应区内在一基底上化学气相沉积二氧化矽的方法,该方法包括如下的步骤:a)在所述反应区内将所述基底加热至500-800℃的温度范围;b)在所述反应区内保持基底在20毫托至1大气压的压力下;c)向所述反应区引入反应气体氧和通式为(t-C4H9NH)2SiH2的矽烷,使所述反应气体与所述矽烷反应;以及d)保持a)至c)的条件,使得足以引起二氧化矽膜沉积到该基底上。5.一种用于在一反应区在一基底上化学气相沉积氧氮化矽的方法,该方法包括如下步骤a)在所述反应区内将所述基底加热至500-800℃的温度范围;b)在所述反应区内保持所述基底在20毫托至1大气压的压力下;c)向所述反应区引入选自由N2O、NO、NO2和其混合物所组成的族群的反应气体、氨和通式为(t-C4H9NH)2SiH2的矽烷,并使所述反应气体与所述矽烷反应;以及d)保持a)至c)的条件,使得足以引起氧氮化矽膜沉积到该基底上。6.一种在一反应区内在一基底上化学气相沉积选自二氧化矽、氧氮化矽和氮化矽所组成的族群的一叠层矽化合物的方法,该方法包括如下步骤:a)在所述反应区内将所述基底加热至500-800℃的温度范围;b)在所述反应区内保持该基底在20毫托至1大气压的压力下;c)向所述反应区引入通式为(t-C4H9NH)2 SiH2的矽烷;d)向所述反应区引入不同量选自O2.O3.N2O、NO、NO2.NH3和其混合物,适合于进行多叠层沉积含有矽和一个或多个氧、氮和其混合物的矽化合物膜,其中每个叠层可以具有不同量的氧、氮和其混合物,然后使所述反应气体与所述矽烷反应;以及e)保持a)至c)的条件,使得足以引起所述矽化合物膜的所述多叠层沉积到所述基底上。图式简单说明:图1是使用二(叔丁基氨基)矽烷和氧时,二氧化矽的沉积速度和温度的关系图。图2是表明改变N2O对NH3的比例影响氧氮化矽的FTIR谱图。图3是折射指数作为反应气体NH3和NO2以及O2的函数的变化图。 |
