用于过抹除之单电晶体(1T)快闪记忆体恢复设计

摘要

提供一种方法，该方法利用均匀之电位于隧道氧化物之上，根据均匀之电场而使记忆体单元恢复自过抹除。

主权项

1.一种可电抹除程式规划唯读记忆体之抹除方法,该记忆体含复数个单电晶体记忆体单元,该方法包含下列步骤:a.配置一第一电压准位于该复数个单电晶体记忆体单元之所选择之一的电晶体的固定闸极上;b.浮动电压准位于该电晶体之汲极/源极区之上;c.藉配置一相反极性之电压于步骤a中配置于该固定闸极上之电压来确保正确抹除状态之恢复;以及d.配置一电压于该电晶体之源极及本体区之上,该电压系较小大小及相反极性于步骤c中配置于该固定闸极上之电压。图式简单说明:第1图描绘选择自用于既定操作之一行电晶体之代表EEPROM单元之此一电晶体2,具有闸极电极G,浮动闸极FG,位元线BL,源极区S,及本体区B;第2图描绘来自一记忆体单元阵列之两行EEPROM快闪记忆体单元之示意图;以及第3图显示来自未选择之行的记忆体单元之示意图。