| 发明名称 | 镶嵌式内连线结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镶嵌式内连线结构的制造方法，首先于基底形成一介电层，蚀刻介电层形成沟槽；于介电层及沟槽的侧壁及底部形成阻障层，于阻障层形成金属层并填满沟槽；执行化学机械研磨制程以移除位于介电层上方的第一阻障层及第一金属层；执行同步还原制程，通入硅烷气体，以消除金属层表面的金属氧化物；形成一密封层以覆盖金属层。具有消除化学机械研磨后所产生的金属氧化物，以降低金属导线的阻抗，且改善其电致迁移效应，提高金属层与密封层的粘合度，有效的改善制成品的品质的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1392605A | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN01118828.6 | 申请日期 | 2001.06.18 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 徐震球;李世达;顾子琨;陈隆 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种镶嵌式内连线结构的制造方法，其特征是：至少包含下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)于所述基底上形成一介电层；(3)蚀刻所述介电层，以形成沟槽；(4)形成一阻障层于所述介电层及沟槽的侧壁及底部；(5)于所述阻障层上形成一金属层，并填满所述沟槽；(6)执行化学机械研磨制程，以进行所述金属层表面的平坦化处理；(7)执行同步还原制程，通入还原气体，除去所述金属层表面的金属氧化物；(8)形成一密封层以覆盖所述金属层的表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||