| 主权项 |
1.一种双频倒F型平面天线(planar inverted-Fantenna,PIFA),操作于一第一操作频段与一第二操作频段,该双频倒F型平面天线包括;一接地面;一主辐射元件,藉一第一短路器短路至该接地面,该主辐射元件具有一第一共振模态以令该双频倒F型平面天线操作于该第一操作频段;一馈入装置,配置于该接地面处并与该主辐射元件耦接,用以传递微波信号;一寄生辐射元件,藉一第二短路器短路至该接地面该寄生辐射元件具有一第一共振模态以令该双频倒F型平面天线操作于该第二操作频段,其中,该寄生辐射元件之第一共振模态系由该主辐射元件以能量耦合方式所激发产生;以及一介质材料,介于该主辐射元件、该寄生辐射元件与该接地面间,用以隔离该主辐射元件、该寄生辐射元件与该接地面。2.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件围绕于该主辐射元件。3.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该主辐射元件系矩形。4.如申请专利范围第3项所述之双频倒F型平面天线,其中该主辐射元件具槽孔。5.如申请专利范围第3项所述之双频倒F型平面天线,其中该主辐射元件具切孔。6.如申请专利范围第3项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件系U字形并围绕于该主辐射元件。7.如申请专利范围第6项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件具槽孔。8.如申请专利范围第6项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件具切孔。9.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该主辐射元件系圆形。10.如申请专利范围第9项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件系环形并围绕于该主辐射元件之外围。11.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该主辐射元件系环形。12.如申请专利范围第11项所述之双频倒F型平面天线,其中该寄生辐射元件系环形并围绕于该主辐射元件之外围。13.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该介质材料包括空气。14.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该介质材料包括一微波基底。15.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该第一短路器系短路金属棒。16.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该第二短路器系短路金属棒。17.如申请专利范围第1项所述之双频倒F型平面天线,其中该馈入装置系SMA接头。18.一种双频平面天线,操作于一第一操作频段与一第二操作频段,该平面天线包括:一接地面;一主辐射元件,具有一第一共振模态以令该双频平面天线操作于该第一操作频段;一馈入装置,配置于该接地面处并与该主辐射元件耦接,用以传递微波信号;一寄生辐射元件,具有一第一共振模态以令该双频平面天线操作于该第二操作频段,其中,该寄生辐射元件之第一共振模态系由该主辐射元件以能量耦合方式所激发产生;以及一介质材料,介于该主辐射元件、该寄生辐射元件与该接地面间,用以隔离该主辐射元件、该寄生辐射元件与该接地面。19.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件围绕于该主辐射元件。20.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该主辐射元件系矩形。21.如申请专利范围第20项所述之双频平面天线,其中该主辐射元件具槽孔。22.如申请专利范围第20项所述之双频平面天线,其中该主辐射元件具切孔。23.如申请专利范围第20项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件系U字形并围绕于该主辐射元件。24.如申请专利范围第23项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件具槽孔。25.如申请专利范围第23项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件具切孔。26.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该主辐射元件系圆形。27.如申请专利范围第26项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件系环形并围绕于该主辐射元件之外围。28.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该主辐射元件系环形。29.如申请专利范围第28项所述之双频平面天线,其中该寄生辐射元件系环形并围绕于该主辐射元件之外围。30.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该介质材料包括空气。31.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该介质材料包括一微波基底。32.如申请专利范围第18项所述之双频平面天线,其中该馈入装置系SMA接头。图式简单说明:第1图绘示倒F型平面天线的结构示意图。第2A图绘示传统的双频式倒F型天线的辐射装置图样示意图。第2B图绘示另一种传统的双频式倒F型天线的辐射装置图样示意图。第3图绘示依照本发明一较佳实施例所提供的双频倒F型平面天线示意图。第4图绘示较佳实施例所提供的双频倒F型平面天线的返回损失测量値。第5A图绘示天线操作于2.4GHz时的H-plane及E-plane辐射场型测量値。第5B图绘示天线操作于5.8GHz时的H-plane及E-plane辐射场型测量値。第6A图绘示天线操作于2.4GHz频段时天线增益与频率的关系。第6B图绘示天线操作于5.8GHz频段时天线增益与频率的关系。第7图绘示辐射元件被植入槽孔或切孔后的情形。第8A图绘示圆形之主辐射元件与环形之寄生辐射元件的组成示意图。第8B图绘示环形之主辐射元件与环形之寄生辐射元件的组成示意图。 |
