| 摘要 |
在本发明中，一具有一当作记忆体单元节点的电极及一当作记忆体单元阵列的共用反电极之第二电极的电容器形成于半导体基材中，然后一场效电晶体(FET)产生于电容器上方，本发明的目的系提供一种记忆体单元，其具有电容器的垂直构造及一配置于后者上方的垂直场效电晶体，其能够以较低的费用及以技术上更可靠的方式产生。此系藉由在半导体基材中蚀刻二平行且具有第一深度的第一沟渠而达成，在该沟渠之间形成一卷筒，卷筒之窄侧连接至半导体基材，且卷筒的下侧切开，与半导体基材分离。然后，悬承的卷筒具备一封闭的介电质。在充填以后，场效电晶体施加且连接至卷筒成为记忆体节点。 |
