制造半导体元件之方法

摘要

一种制造具有接触插塞之半导体元件的方法，其中系使用氧气、或氧气与含氟气体的混合气体，如CF4、C2F6、 CHF3与NF3以乾式蚀刻去除位于接触插塞表面上的损坏层。在第一绝缘层中形成接触窗开口，至裸露出半导体基底的主动元件区。接触窗开口中填入复晶矽层。然后以回蚀刻制程(电浆制程)将开口以外的复晶矽层去除，以形成一接触窗插塞。但是，在此步骤中因为电浆能量的加速离子会在接触窗插塞的表面上形成一层损坏层。进行乾式蚀刻制程去除接触窗插塞表面上的损坏层。本发明系以乾式蚀刻技术去除接触窗插塞表面上多余的损坏层，以降低接触窗插塞与覆盖于其上之导体层间的接触阻值。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法,包括下列步骤:在一半导体基底上的一第一绝缘层中以蚀刻形成一接触窗开口;在该第一绝缘层上形成一第一导体层,以填满该接触窗开口;回蚀刻该第一导体层,直到裸露出该第一绝缘层之上表面,以形成一接触窗插塞;在包含该接触窗插塞之第一绝缘层上形成一第二绝缘层;其中因回蚀刻步骤,在该接触窗插塞的上表面上会形成一损坏层;部分蚀刻该第二绝缘层,以形成一开口,该开口裸露出该损坏层与该损坏层外部之部分该第一绝缘层;去除该损坏层;以及在该开口中填入一第二导体层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该损坏层的步骤系以含有O2之乾式蚀刻技术以执行之。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该乾式蚀刻技术至少更包括一含氟气体。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该含氟气体系选自于CF4.C2F6.CHF3与NF3所组成之族群的其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导体层与该第二导体层为掺杂复晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括下列步骤:将该第二导体层平坦化,直到裸露出该绝缘层;在该第二导体层上形成一介电层;以及在该介电层上形成一第三导体层,以形成一电容器。7.一种半导体元件的制造方法,包括下列步骤:在一半导体基底上的一第一绝缘层中以蚀刻形成一接触窗开口;在该第一绝缘层上形成一第一导体层,以填满该接触窗开口;回蚀刻该第一导体层,直到裸露出该第一绝缘层的上表面,以形成一接触窗插塞;其中因回蚀刻步骤,在该接触窗插塞的上表面上会形成一损坏层;去除该损坏层;以及在包含该接触窗插塞的该第一绝缘层上形成一第二导体层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中去除该损坏层的步骤系以含有O2之乾式蚀刻技术以执行之。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该乾式蚀刻技术至少更包括一含氟气体。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该含氟气体亦选自于CF4.C2F6.CHF3与NF3所组成之族群的其中之一。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一导体层与该第二导体层为复晶矽层。图式简单说明:第1A图至第1F图,系绘示绘示依照本发明第一实施例,一种制造半导体元件之新方法的流程图;第2A图至第2B图,系绘示绘示依照本发明第二实施例,一种制造半导体元件之新方法的流程图;以及第3A图至第3C图,系绘示绘示依照本发明第三实施例,一种制造半导体元件之新方法的流程图。