| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，且所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的偏移间隙壁结构；在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成第一锗硅层；去除所述第一锗硅层的中间部分以形成凹槽；在所述凹槽中形成第二锗硅层。根据本发明，可以解决形成的嵌入式锗硅结构中出现的层错缺陷减弱其向所述器件沟道区施加的应力的问题，进而增大嵌入式锗硅结构对所述器件沟道区施加的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN103594338B | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201210292591.5 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张彬;鲍宇;邓浩 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，且所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的偏移间隙壁结构；在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成第一锗硅层；去除所述第一锗硅层的中间部分以形成凹槽，所述凹槽的侧壁是竖直的，所述凹槽的深度与所述第一锗硅层的最大厚度相同；在所述凹槽中形成第二锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||