矽晶圆及矽晶圆之制造方法

摘要

【课题】：附加有氮掺杂处理的IG与EG发生去疵能力不足的情形，此问题至令仍未解决。【解决手段】：对于矽晶圆1’施加氮掺杂处理与外部去疵(EG)处理(例如，形成多晶矽层3的处理)。因此，在装置步骤中，即使在曝露于重金属离子(所谓铜、镍)的热处理的过程中，内部去疵(IG)起作用，能捕获铜、镍。另，为了形成应变层的多晶矽层3，依照外部去疵(EG)的作用，以多晶矽层3作捕获点能捕获铁、铜。