半导体装置及其制造方法

摘要

在P型矽基板上形成一埋入氧化物(BOX)层与一绝缘层上之矽(SOD)层，更在在该SOI层上形成一P井与一N井。第一P型扩散区位于S／D区下方，第二P型扩散区位于通道区下方，第三P型扩散区位于介于STI区4与BOX层2间之区域，做为一本体接点的第四P型扩散区形成在P井内，第二与第三P型扩散区位在同一高度，而且第二与第三P型扩散区形成具有之杂质浓度高于第一P型扩散区的杂质浓度。