| 主权项 |
1.一种改良溅镀靶(Target)使用效率的方法,适用于一扫描型磁控式溅镀机(Sputter)上,该扫描型磁控式溅镀机具有一磁铁,该磁铁之扫描方式系为左右反覆折返式,且该扫描型磁控式溅镀机接收一功率输入,该功率输入依该磁铁之扫描范围而变更,而该方法之步骤包含:于该磁铁扫描至靠近该磁铁折返处之一特定范围时,分复数个阶段降低该功率输入,藉以降低该扫描型磁控式溅镀机对该溅镀靶之蚀刻率;以及于该磁铁扫描离开该特定范围时,提高并维持该功率输入,利用该磁铁之扫描范围的改变而变更该功率输入,藉以提高该溅镀靶的使用效率。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系为变更功率法。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该磁铁之扫描系由一步进马达控制。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该功率输入系由一直流电源供应器(DC Power Supply)提供。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该功率输入可藉由更改该直流电源供应器之电脑控制程式而变更。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该特定范围的大小系与该磁铁之扫描范围的大小成正比。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为合金类,如钼化钨(MoW)、铝化钕(AlNd)。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为氧化物,如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为金属类,如铬(Cr)、铝(Al)。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其变更该功率输入的方式系为阶梯式。11.一种改良溅镀靶使用效率的方法,适用于一扫描型磁控式溅镀机上,该扫描型磁控式溅镀机具有一磁铁,该磁铁之扫描方式系为左右反覆折返式,且该扫描型磁控式溅镀机接收一功率输入,该功率输入依该磁铁之扫描范围而变更,而该方法之步骤包含:定义一扫描中心点,该扫描中心点位于该磁铁之扫描范围实质上二分之一处;当该磁铁从该扫描中心点向该磁铁折返处扫描时,渐进降低该功率输入,藉以降低该扫描型磁控式溅镀机对该溅镀靶之蚀刻率;以及当该磁铁从该磁铁折返处向该扫描中心点扫描时,渐进提高该功率输入,利用该磁铁之扫描范围的改变而变更该功率输入,藉以提高该溅镀靶的使用效率。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该方法系为变更功率法。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该磁铁之扫描系由一步进马达控制。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该功率输入系由一直流电源供应器提供。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该功率输入可藉由更改该直流电源供应器之电脑控制程式而变更。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该特定范围的大小系与该磁铁之扫描范围的大小成正比。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为合金类,如钼化钨、铝化钕。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为氧化物,如氧化铟锡、氧化铟锌。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该溅镀靶之材质可为金属类,如铬、铝。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其变更该功率输入的方式系为渐进式。图式简单说明:第一图:其系一般常见之扫描型磁控式溅镀机之设备示意图。第二图:其系利用习知技术溅镀一钼化钨靶后,该钼化钨靶之蚀刻厚度量测图。第三图:其系利用习知技术溅镀一铝靶后,该铝靶之剩余厚度量测图。第四图:其系使用于第三图铝靶中之扫描型磁控式溅镀机之磁铁扫描速度与扫描范围关系图。第五图:其系使用于第三图铝靶中之扫描型磁控式溅镀机之基板中心线片电阻平均値与该扫描型磁控式溅镀机之磁铁扫描速度关系图。第六图:其系使用于第三图铝靶中之扫描型磁控式溅镀机之基板中心线片电阻平均値与该溅镀靶之表面量测功率关系图。第七图:其系使用于第三图铝靶中之扫描型磁控式溅镀机之溅镀靶使用后靶材剩余厚度示意图。第八图:其系本案一较佳实施例之功率输入与扫描范围关系图。第九图:其系本案另一较佳实施例之功率输入与扫描范围关系图。 |
