| 摘要 |
本案提供一种蚀刻氧化层上之氮化层的方法，用以形成具高均匀性（uniformity）之垂直轮廓氮化层侧壁，并维持氮化层下方的薄氧化层完整性。本方法包含提供第一气流，该第一气流包含第一氟碳化合物及第二氟碳化合物，而第一氟碳化合物对第二氟碳化合物具有第一比例，提供第一气流第一电量以产生第一电浆，以第一电浆蚀刻氮化矽层之第一部份，提供第二气流，该第二气流包含第一氟碳化合物及第二氟碳化合物，而第一氟碳化合物对第二氟碳化合物具有第二比例，且第二比例较第一比例为高，提供第二气流一第二电量以产生第二电浆，以及以第二电浆蚀刻氮化矽层之第二部份。 |
