| 主权项 |
1.一种制造半导体元件之方法,其包含下列步骤:(a)于一导体层上形成一光阻图案;(b)将该光阻图案曝光至下列任一种电浆中:一稀有气体之电浆、一稀有气体与一含氟气体之混合物的电浆与一N2之电浆,且不会在该导体层中造成实质的蚀刻;及(c)于步骤(b)后,对该导体层施用一乾蚀刻程序,同时使用该光阻图案作为光罩;其中该方法进一步包含一移除一抗反射薄膜之步骤,该移除该抗反射薄膜之步骤系与该步骤(b)同时执行。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成该光阻图案之该步骤系包含一以深紫外线幅射曝光该光阻薄膜之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻薄膜包含一于深紫外线波长具有光敏性之KrF或ArF光阻。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该导体层于其上携载一选自包含SiON、SiO2.TiN与C之抗反射薄膜。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)系于第一室中进行,而该步骤(c)系于以真空传输途径连接至该第一室之第二室中进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)与该步骤(c)系连续地于一一般室中进行。7.一种制造半导体元件之方法,其包含下列步骤:(a)于一导体层上形成一光阻图案;(b)将该光阻图案曝光至下列任一种电浆中:一稀有气体之电浆、一稀有气体与一含氟气体之混合物的电浆与一N2之电浆;及(c)于步骤(b)后,对该导体层施用一乾蚀刻程序,同时使用该光阻图案作为光罩,该乾蚀刻程序系在不含S之环境下进行;其中该方法进一步包含一移除一抗反射薄膜之步骤,该移除该抗反射薄膜之步骤系与该步骤(b)同时执行。图式简单说明:第1A与1B图系显示一习知乾蚀刻程序及其问题;第2A至2C图系显示另一习知乾蚀刻程序;第3图系说明一习知乾蚀刻程序之机构;第4图系说明本发明之原理;第5图系显示使用于本发明之乾蚀刻装置;第6A至6D图系进一步说明本发明之原理;第7A至7H图系显示根据本发明第一实施例之半导体元件的制造方法;第8A至8G图系显示根据本发明第二实施例之半导体元件的制造方法;第9A至9F图系显示根据本发明第三实施例之半导体元件的制造方法;及第10A至10D图系对应于第6A至6D图,以说明本发明之原理。 |
