具有自行对准轻掺杂汲极结构之薄膜电晶体及其制造方法

摘要

一种具有自行对准轻掺杂汲极结构之薄膜电晶体，一有效层包含有一通道区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域。一闸极绝缘层系形成于该有效层之上，包含至少有一区域、一遮蔽区域以及一延伸区域，其中该区域系覆盖该通道区域，该遮蔽区域系位于该区域之外围且覆盖该第一掺杂区域，该延伸区域系位于该遮蔽区域之外围且覆盖该第二掺杂区域。一闸极层系形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层系覆盖该区域且暴露该遮蔽区域以及该延伸区域。其中，该闸极绝缘层之遮蔽区域的厚度大于该闸极绝缘层之延伸区域的厚度