| 摘要 |
一种即使该等绝缘膜之物理厚度不同，能够藉由使用该等电子电路元件之电极消耗保障该电子电路元件之绝缘膜所需之电气有效厚度之半导体装置，其中使用该高电源所施加至之电晶体之高抵抗电压之闸极电极包括相对低浓度之不纯物，使得该等闸极电极在施加该闸极电压之时间容易地消耗；该等闸极电极之空乏相等于增加该等闸极绝缘膜之厚度；该等闸极绝缘膜所需之电气有效厚度可以制作的更厚；而需要高速和大驱动电流之高效能电晶体之该等闸极电极并不包括高浓度之不纯物，其中该等闸极电极之空乏将不会发生，所以该等闸极绝缘膜之电气有效厚度保持薄。 |
