光阻材料及图型之形成方法

摘要

本发明系为一种光阻材料，其系含有具有以下述式(1)表示之重覆单位之重量平均分子量为1，000～500，000之高分子化合物，093114794-p01.bmp(式中，R^1为H、OH之烷基、卤原子或三氟甲基，R^2为H、OH、卤原子或三氟甲基，Y为甲基、乙基或丙基，n为0或1～4之正整数)。本发明系大幅提高曝光前后之硷溶解速度的对比，且于高感度下，可实现微细区域之高解像性，特别适合作为超LSI制造用之微细图案形成材料。