| 主权项 |
1.一种半导体封装基板之层间导电结构之制法,系包括:提供一内层基板,该内层基板中形成有多数之电镀导通孔,且该内层基板表面形成有内层线路层;于该内层基板上及该电镀导通孔中形成一绝缘层,且该绝缘层对应于至少一部份电镀导通孔处系形成有开孔以外露出该电镀导通孔之孔壁金属层;以及在该绝缘层上及该开孔中形成一图案化金属层。2.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该绝缘层上及该开孔中之图案化金属层,系可藉由在该绝缘层及该开孔表面先后形成一导电层与一图案化电镀阻层后,再透过电镀方式形成。3.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该内层基板系包括由绝缘芯层及形成于该绝缘芯层表面之至少一层线路图案所构成之多层板结构。4.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该绝缘层为ABF(Ajinomoto Build-up Film)。5.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该开孔系设置于该内层基板之单侧。6.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该开孔系设置于该内层基板之两侧。7.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该开孔之孔底系低于该内层基板之较近边缘以下,未穿过该内层基板者为限。8.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该开孔系采雷射钻孔技术(Laser drilling)形成。9.如申请专利范围第8项之层间导电结构之制法,其中,该雷射系为一CO2雷射。10.如申请专利范围第8项之层间导电结构之制法,其中,该雷射系为一紫外线雷射。11.如申请专利范围第1项之层间导电结构之制法,其中,该图案化金属层上可重复堆叠绝缘层及图案化金属层,俾制得一具多层线路之半导体封装基板。12.一种半导体封装基板之层间导电结构,系包括:一内层基板,其上形成有内层线路层与多数贯穿该内层基板之电镀导通孔;一绝缘层,系形成于该内层线路层表面及电镀导通孔内,该绝缘层对应于至少一部份电镀导通孔处系形成有孔底低于该内层基板顶缘之开孔,以外露出该电镀导通孔之孔壁金属层;以及一图案化金属层,系形成于该绝缘层表面及该开孔中。13.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该内层基板系包括由一绝缘芯层及形成于该绝缘芯层表面之至少一层线路图案所构成之多层板结构。14.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该绝缘层系为ABF(Ajinomoto Build-up Film)。15.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该开孔系设置于该内层基板之单侧。16.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该开孔系设置于该内层基板之两侧。17.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该开孔之孔底系低于该内层基板之较近边缘以下,未穿过该内层基板者为限。18.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该开孔系采雷射钻孔技术(Laser drilling)形成。19.如申请专利范围第18项之层间导电结构,其中,该雷射系为一CO2雷射。20.如申请专利范围第18项之层间导电结构,其中,该雷射系为一紫外线雷射。21.如申请专利范围第12项之层间导电结构,其中,该图案化金属层上可重复堆叠绝缘层及图案化金属层,俾制得一具多层线路之半导体封装基板。图式简单说明:第1A图至第1C图系习知之半加成法的半导体封装基板制作流程示意图;第2A图至第2C图系习知之线路电镀法的半导体封装基板制作流程示意图;第3A图至第3D图系习知之油墨塞孔方式制作内层基板电镀导通孔之制作流程示意图;第4A图至第4L图系本发明半导体封装基板之层间导电结构制法之第一实施例剖面示意图;以及第5A图至第5D图系本发明半导体封装基板之层间导电结构制法之第二实施例剖面示意图。 |
