发明名称 | 用以避免条纹现象的蚀刻方法 | ||
摘要 | 揭示一种一种半导体装置之蚀刻方法。本发明之方法包含步骤有提供一基底;于基底上形成复数层工作层;于工作层之最上层上形成光阻剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光阻剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽。藉由本发明之蚀刻方法,可避免一般光罩蚀刻所造成的条纹(striation)现象。 | ||
申请公布号 | TW200515527 | 申请公布日期 | 2005.05.01 |
申请号 | TW092128996 | 申请日期 | 2003.10.20 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 李秀春;黄则尧;陈逸男 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 黄庆源 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |