制作通孔的方法

摘要

本发明系先形成一图案化之第一光阻层覆盖于一导电层以及一半导体基底表面，用以定义出通孔之图案，且导电层顶部另有一顶盖层。然后蚀刻未被第一光阻层覆盖之顶盖层，直至曝露导电层之第一部份。随后移除第一光阻层，并在半导体基底上依序形成一介电层及一图案化之第二光阻层。最后蚀刻未被第二光阻层覆盖之介电层，以暴露出前述导电层之第一部份。