| 主权项 |
1.一种接触窗之形成方法,适用于一记忆装置,包括下列步骤:提供一基底,其具有一记忆阵列区及一周边电路区,且复数闸极结构形成于该记忆阵列区及该周边电路区上方,其中该闸极结构包括一闸极、一闸极上盖层、及一闸极间隙壁;在该等闸极结构之间形成一第一绝缘层;在该等闸极结构及该第一绝缘层上方形成一第二绝缘层;藉由该等闸极上盖层、该等闸极间隙壁、及该基底作为终止层,依序蚀刻该第二及该第一绝缘层,以在该记忆阵列区形成位元线接触窗而露出该基底及该闸极间隙壁表面,且在该周边电路区形成基底接触窗及闸极接触窗而分别露出该基底表面及该闸极上盖层;分别在该位元接触窗、该基底接触窗、及该闸极接触窗侧壁形成保护间隙壁;藉由该等保护间隙壁作为终止层,蚀刻该闸极接触窗下方之闸极上盖层而露出其下方之该闸极;以及去除该保护间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,更包括在该第二绝缘层上方形成一硬式罩幕图案层。3.如申请专利范围第2项所述之接触窗之形成方法,其中该硬式罩幕图案层系一复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该闸极包含一金属矽化层。5.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该闸极上盖层及该闸极间隙壁系由氮化矽所构成。6.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该第一绝缘层系一硼磷矽玻璃。7.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该第二绝缘层系由四乙基矽酸盐所形成之氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁系由一金属氮化物所构成。9.如申请专利范围第8项所述之接触窗之形成方法,其中形成该保护间隙壁更包括下列步骤:在该第二绝缘层上方与该位元接触窗、该基底接触窗及该闸极接触窗内表面顺应性形成一金属氮化层;以及非等向性蚀刻该金属氮化层以形成该保护间隙壁,其中藉由BCl、Cl2、HBr、及N2作为制程气体。10.如申请专利范围第8项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁系一氮化钛层。11.如申请专利范围第10项所述之接触窗之形成方法,其中藉由硫酸及过氧化氢混合液(SPM)去除该保护间隙壁。12.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁之厚度在80到200埃的范围。13.如申请专利范围第1项所述之接触窗之形成方法,其中藉由CH3F、O2、CO作为制程气体以蚀刻该闸极上盖层。14.一种接触窗之形成方法,包括下列步骤:提供一基底,其上方形成有复数闸极结构,其中该闸极结构包括一闸极、一闸极上盖层、及一闸极间隙壁;在该等闸极结构上方形成一绝缘层并填入该等闸极结构之间;藉由该等闸极上盖层、该等闸极间隙壁、及该基底作为终止层,蚀刻该绝缘层,以在该等闸极结构之间形成第一接触窗而露出该基底及该闸极间隙壁表面,且在该等闸极结构上方形成第二接触窗而露出该闸极上盖层;分别在该第一及该第二接触窗侧壁形成保护间隙壁;藉由该等保护间隙壁作为终止层,蚀刻该第二接触窗下方之闸极上盖层而露出其下方之该闸极;以及去除该保护间隙壁。15.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,更包括在该绝缘层上方形成一硬式罩幕图案层。16.如申请专利范围第15项所述之接触窗之形成方法,其中该硬式罩幕图案层系一复晶矽层。17.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该闸极包含一金属矽化层。18.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该闸极上盖层及该闸极间隙壁系由氮化矽所构成。19.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该绝缘层包含一硼磷矽玻璃。20.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该绝缘层包含由四乙基矽酸盐所形成之氧化层。21.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁系由一金属氮化物所构成。22.如申请专利范围第21项所述之接触窗之形成方法,其中形成该保护间隙壁更包括下列步骤:在该绝缘层上方与该第一及该第二接触窗内表面顺应性形成一金属氮化层;以及非等向性蚀刻该金属氮化层以形成该保护间隙壁,其中藉由BCl、Cl2、HBr、及N2作为制程气体。23.如申请专利范围第21项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁系一氮化钛层。24.如申请专利范围第23项所述之接触窗之形成方法,其中藉由硫酸及过氧化氢混合液(SPM)去除该保护间隙壁。25.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中该保护间隙壁之厚度在80到200埃的范围。26.如申请专利范围第14项所述之接触窗之形成方法,其中藉由CH3F、O2、CO作为制程气体以蚀刻该闸极上盖层。图式简单说明:第1a到1d图系绘示出传统形成记忆装置之接触窗之方法剖面示意图。第2a到2g图系绘示出本发明实施例之接触窗之形成方法剖面示意图。 |
