半导体装置及其制造方法

摘要

本发明有关一种半导体装置，其包括一介电层、一导线、一介层洞、及位于该导线中之一介层洞下陷区。导线系位于介电层下面。介层洞形成于介电层中，及延伸至导线中，在导线中形成介层洞下陷区。在导线中形成的介层洞下陷区具有深度为至少约100埃(angstrom)。介层洞填充材料填充介层洞下陷区及至少部分填充介层洞，使得介层洞填充材料与导线电性连接。介层洞下陷区可具有例如与介层洞相同之尺寸或较小之截面积。此种介层洞结构可为例如金属层间介电质结构中双镶嵌结构之部分。