| 摘要 |
知技术中，在氮化膜上之配线间，或氮化膜上之配线与杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)，配线与闸极金属层接近之区域中，具有经配线传送之高频信号会通过成为电容成分之氮化膜，以半绝缘基板之空乏层之变化之形态，而在对方侧泄漏之问题。本发明提供一种半导体装置，系于氮化膜上之配线间、或氮化膜上之配线与杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)或配线与闸极金属层相邻之间隙之区域的基板，设有岛状浮动杂质区域。浮动杂质区域系浮动电位，并遮蔽从氮化膜上之配线延伸至基板之空乏层。因此，在氮化膜上之配线间、或氮化膜上之配线与杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)或氮化膜上之配线与闸极金属层相邻之区域，可防止高频信号经由从氮化膜上之配线延伸至基板之空乏层泄漏至对方侧。 |
