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1.一种改善浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)可靠 度的方法,该方法包含有下列步骤: 提供一基底; 于该基底表面形成一经定义图案之罩幕层,该罩幕 层系包含有一垫氧化层以及一氮化矽层形成于该 垫氧化层上; 蚀刻未被该罩幕层覆盖之该基底,以形成一沟渠区 域; 进行一现场蒸汽成长(in-situ steam growth,ISSG)制程,以 同时氧化该沟渠区域表面与该氮化矽层表面而形 成一ISSG膜; 沈积一介电层,该介电层填满该沟渠区域,并覆盖 该罩幕层; 平坦化该介电层,直至暴露出该氮化矽层;以及 去除该氮化矽层; 其中该ISSG膜可保护该介电层与该基底之界面,避 免该介电层与该基底之界面于该酸液浸泡制程过 程中产生一酸侵蚀缝隙(acid corroded seam)现象。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中该ISSG膜的厚 度约为50至250埃(angstrom, )。 3.如申请专利范围第1项的方法,其中该介电层系为 一高密度电浆氧化(high density plasma oxide, HDP oxide) 层。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中在去除该氮化 矽层之前,该方法另包含有进行一氧化矽乾蚀刻制 程,以同时去除残留于该氮化矽层表面上之氧化矽 以及部份该沟渠区域内之该介电层。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中该酸液浸泡制 程系利用一稀释氢氟酸(diluted HF, DHF)溶液。 6.如申请专利范围第1项的方法,其中去除该氮化矽 层的方法系利用一加热至约160℃之磷酸溶液。 7.如申请专利范围第1项的方法,其中该基底系为一 矽基底。 图式简单说明: 图一至图七为习知浅沟隔离方法之示意图;以及 图八至图十四为本发明浅沟隔离方法之示意图。 |
