SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT

摘要

본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 버퍼층과, 상기 버퍼층 상의 질화물계 반도체를 포함하고, 전이 금속 및 탄소를 포함하는 고저항층과, 상기 고저항층 상의 질화물계 반도체를 포함하는 채널층을 갖는 반도체 기판이며, 상기 고저항층은, 상기 채널층에 접함과 함께 상기 버퍼층측으로부터 상기 채널층측을 향하여 상기 전이 금속의 농도가 감소하는 감소층을 갖고, 탄소 농도의 상기 채널층을 향하여 감소하는 감소율은, 상기 전이 금속의 농도의 상기 채널층을 향하여 감소하는 감소율보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체 기판이다. 이에 의해, 채널층 내의 탄소 농도 및 전이 금속의 농도를 내리면서, 고저항층의 채널층측의 영역의 고저항화를 도모할 수 있는 반도체 기판을 제공할 수 있다.