| 摘要 |
여기에 개시된 방법은 아래놓인 실리콘 구조물을 손상시키지 않고 핀 및 다른 구조물 주위의 실리콘 질화물을 제거하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 여기에 개시된 방법은 이중층 스페이서 및 L형 스페이서뿐만 아니라 다른 구성들을 형성하는 것을 포함한다. 기술들은 SiN에 대하여 높은 선택성을 갖는 로우-k 재료의 이방성 에칭, 및 그를 후속하는 로우-k 재료에 대해 높은 선택성을 갖는 SiN의 등방성 에칭의 다단계 공정을 포함한다. 그러한 기술들은, 예를 들어 3D 게이트 구조물 상에 L형 스페이서를 형성하기 위해 사용될뿐만 아니라, 둘러싸는 또는 아래놓인 재료들을 손상시키지 않고 실리콘 질화물을 완벽하게 제거하기 위한 방법을 제공한다. |
