发明名称 LOW POWER MEMORY DEVICE WITH JFET DEVICE STRUCTURES
摘要 JFET 디바이스 구조(100)의 저전력 메모리 디바이스가 제공된다. 특히, 메모리 엘리먼트(54) 및 상기 메모리 엘리먼트에 전기적으로 연결된 JFET 액세스 디바이스(100)를 갖는 다수의 메모리 셀을 포함하는 저전력 메모리 디바이스가 제공된다. 메모리 셀들은 확산 기반 분리를 이용하여 절연될 수 있다. JFET는 리세스된 게이트를 가질 수 있다. JFET는 핀-JFET일 수 있다.
申请公布号 KR101689409(B1) 申请公布日期 2016.12.23
申请号 KR20117015865 申请日期 2009.11.19
申请人 마이크론 테크놀로지, 인크. 发明人 모우리, 챈드라
分类号 H01L27/108;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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