DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES REGIONS EN SILICIUM POREUX REALISEES PAR ANODINATION,申请号FR19790026657-传众专利搜索

发明名称	DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES REGIONS EN SILICIUM POREUX REALISEES PAR ANODINATION
摘要	L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM DU TYPE P, UNE REGION EN SILICIUM MONO-CRISTALLIN DU TYPE P FORMEE SUR LA SURFACE MAJEURE DU SUBSTRAT ET CONTENANT UNE IMPURETE DU TYPE P SEULE ET UNE REGION EN OXYDE DE SILICIUM POREUX ENTOURANT LA REGION EN SILICIUM DU TYPE P.SELON L'INVENTION, LA REGION EN OXYDE DE SILICIUM POREUX 14 EST EN CONTACT AVEC TOUTES LES SURFACES LATERALES DE LA REGION EN SILICIUM DU TYPE P12, 13, ET AU MOINS UNE PARTIE DE SA SURFACE INFERIEURE.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP.
申请公布号	FR2440080(A1)	申请公布日期	1980.05.23
申请号	FR19790026657	申请日期	1979.10.26
申请人	NIPPON TELEGRAPH TELEPHONE PUBLI	发明人
分类号	H01L21/265;H01L21/306;H01L21/324;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/26	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
主权项
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