| 摘要 |
<P>Ce dispositif intégré est composé d'au moins un transistor unipolaire à effet de champ à jonction TEC-J à canal P, à partir d'un substrat 1 de silicium qui présente une face supérieure 2, sur laquelle sont formées une couche, dopée N**+, puis une couche épitaxiale 8, dopée N et délimitée ensuite par des colonnes d'isolement 9 dopées P**+ pour former des poches N. La zone contenue dans le périmètre interne fermé 6 est occupée par une zone indépendante 10, dopée P**+ et ladite zone indépendante 10, la zone épitaxiale dopée N 8 et la face inférieure du substrat 3 sont munies de contacts ohmiques servant respectivement d'électrodes de source, de grille et de drain pour le transistor.</P>
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