| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿层后，在所述隧穿层上形成掺杂有N型离子的第一多晶硅层；之后刻蚀所述存储器区域上的第一多晶硅层，形成浮栅层；接着，在所述浮栅层上形成第一绝缘层后，在所述半导体衬底上形成的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述浮栅层；刻蚀所述第二多晶硅层，在所述浮栅层上形成控制栅层，在所述存储器区域的半导体衬底上形成位于所述浮栅层一侧的选择栅层，所述浮栅层与选择栅层之间形成有间隙。相比于现有工艺，本发明有效简化浅表面沟道晶体管结构的分栅式闪存的制造工艺，从而降低制造难度，以及工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105990092A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510051526.7 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨震 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成分栅式闪存的第一区域；在所述半导体衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂有N型离子的第一多晶硅层；刻蚀所述第一区域上的第一多晶硅层，形成浮栅层；在所述浮栅层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层及半导体衬底上覆盖第二多晶硅层；刻蚀所述第二多晶硅层，在所述浮栅层上形成控制栅层，且在所述浮栅层一侧的第一区域半导体衬底上形成选择栅层；向所述选择栅层内掺杂P型离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||