发明名称 HEAT TREATMENT APPARATUS HEAT TREATMENT METHOD AND PROGRAM
摘要 본 발명은, 피처리체의 면간 온도차를 저감할 수 있는 열처리 장치, 열처리 방법 및 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다. 열처리 장치(1)는, 반응관(2)을 가열하는 히터(11∼15)와, 반응관(2) 내에 복수 장의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하고, 미리 정해진 온도가 될 때까지의 반응관(2) 내의 온도 및 시간을 나타내는 강온 레이트 모델을 기억하는 강온 레이트 모델 기억부와, 반응관(2) 내를 강온 레이트 모델에 나타내는 온도 및 시간으로 하는 제어부(50)를 구비하고 있다. 강온 레이트 모델 기억부는, 강온 레이트가 상이한 복수의 강온 레이트 모델이 기억되고, 반응관(2) 내는 복수의 존으로 구분되며, 존마다 강온 레이트 모델을 설정한다. 제어부(50)는, 존에 따라 강온 레이트가 상이한 강온 레이트 모델을 설정하여, 반응관(2) 내에 수용된 복수 장의 반도체 웨이퍼(W)를 가열한다.
申请公布号 KR20160117331(A) 申请公布日期 2016.10.10
申请号 KR20160038356 申请日期 2016.03.30
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 YAMAGUCHI TATSUYA;YOSHII KOJI;SHOJI MASAFUMI
分类号 H01L21/67;G06F1/20;H01L21/22;H01L21/324 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人
主权项
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