| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit intégré à semiconducteurs et un procédé pour sa fabrication. <BR/> Ce circuit intégré comporte un élément à transistor inverse et un élément à transistor normal disposés sur une couche semiconductrice commune 3 a, 3 b et séparés l'un de l'autre par une couche d'oxyde 9 séparant les deux couches 3 a, 3 b, la couche semiconductrice 3 b de l'élément à transistor inverse étant plus mince que la couche semiconductrice 3 a de l'élément à transistor normal. <BR/> Application notamment aux circuits intégrés comportant des éléments composites I**2 L et bipolaires. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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