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Die Erfindung betrifft eine statische Speicherzelle aus zwei rückgekoppelten Invertern, bei der jeder Inverter aus einem Schalttransistor (T2, T12) und einem als Depletion-Transistor ausgeführten Lastelement (T1, T11) besteht. Zwischen dem Ausgangsknoten (1, 11) jedes Inverters, der mit der Drainelektrode des Schalttransistors (T2, T12) und der Gateelektrode des Depletion-Transistors (T1, T11) verbunden ist, und der Drainelektrode des Depletion-Transistors (T1, T11) ist zur Verringerung der Leistung eine zusätzliche Potentialquelle (2) geschaltet.
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