| 主权项 |
1.积体化光侦测或产生装置及放大装置,包含一场效电晶体,其由一半绝缘基质组成,在其上构成由一槽沟分开的源极及闸极层,构成在槽沟中跨接源极及吸极层的闸极层,及构成光侦测或产生装置的其他各层,而构成一单石结构。2.请求专利部份第1.项所述之积体化装置,其中该其他各层是直接构成在基质上。3.请求专利部份第1.项所述之积体化装置,其中该其他各层是构成在闸极层中。4.以上请求专利部份任一项所述之积体化装置,其中该其他各层构成诸如一光二极体之光侦测器。5.请求专利部份第1.至3.项任一项所述之积体化装置,其中该其他各层构成诸如光射二极体之光源。6.以上请求专利部份任一项所述之积体化装置,其中源极及吸极层各包含一缓冲层,高传导系数源极及吸极层,及一高电阻覆盖层。7.请求专利部份第4.项所述之积体化装置,其中光侦测器包含-p-n光二极体,由构成在闸极层上p-型层组成。8.请求专利部份第7.项所述之积体化装置,其中源极和吸极层间槽沟为V形,而闸极层与光二极体层是构成在槽沟中。9.制造积体化光侦测或产生装置与放大装置之方法,包含以下步骤,在基质上构成-F.E.T高传导系数源极/吸极层,在所制造层中构成一槽沟来将该层分割为两部,在该槽沟中制造-F.E.T闸极层来跨接该两层,并制造构成光侦测或产生装置之其他各层。10.请求专利部份第9.项所述之方法,其中F.E.T高传导系数源极/吸极层是由第一磊晶成长步骤构成,而F.E.T﹒闸层与其他各层是由第二磊晶成长步骤构成。 |
