发明名称 Process for making a fully-crystalline silicon nitride sintered body.
摘要 <p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines dichten, bei hohen Temperaturen kriechfesten, vollkristallinen Sinterkörpers, aus im wesentlichen einer zu &beta;-Siliciumnitrid isomorphen Phase und Yttrium-Aluminiumgranat, wobei aus einer Pulvermischung, bestehend aus Siliciumnitrid, Yttriumoxid, Aluminiumnitrid und Siliciumdioxid, sowie einem die Kristallisation von Yttrium-Aluminiumgranat aus der sialonischen Schmelze stark fördernder Stoff und organischen Bindemitteln ein Vorkörper geformt und unter Austreibung der Bindemittel in einem einoder mehrstufigen Sinterprozeß dichtgesintert wird und zwar in der Weise, daß die Ausgangsstoffe Aluminiumnitrid, Yttriumoxid und Siliciumdioxid im Gewichtsverhältnis 0,960 ± 0,0,96 zu 1,337 ± 134 zu 1 verwendet werden.</p>
申请公布号 EP0171444(A1) 申请公布日期 1986.02.19
申请号 EP19840109589 申请日期 1984.08.11
申请人 HUTSCHENREUTHER AG 发明人 MATHIS, BRUNO, DR.;HAHN, CHRISTOPH, DR.
分类号 C04B35/584;C04B35/597;(IPC1-7):C04B35/58 主分类号 C04B35/584
代理机构 代理人
主权项
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