| 主权项 |
1. 使一种皿一V族半导体化合物之一层,依液相成晶方式,成长于Ⅲ一V族半导体化合物底质上的一种方法,此方法乃包含如下之步骤:于一种非还原气氛内,施热于底质及一种熔融之溶液(所欲之层将由该熔融液因成长而形成)至一预定之温度,施热时,不使底质与熔融之溶液相接触,其后,令底质与熔融之溶液相接触,此方法之特征乃在于:接触步骤系于一还原气氛内进行。2. 如请求专利部份第1.项之方法,其中,熔融之溶液系被定位在一凹缘,底质则被定位在一滑动元件内,凹缘之表面系由石墨所构成。3. 如请求专利部份第2项之方法,其中,非还原气氛系由氮或氨所构成,而还原气氛则由氢气所构成。4. 如请求专利部份第1.项之方法,其中,工作周围气氛乃于接触步骤之前,由非还原气氛转变成还原气氛。 |
