Heat beam film-forming apparatus

摘要

본 발명은 베이스체의 변형이나 변질을 일으키지 않는 저온, 특히 100℃ 이하에서도 반응할 수 있는 분자종을 생성시켜 성막을 하는 것을 과제로 한다. 본 발명에 따른 히트 빔 성막 장치는, 원료 가스를 고온으로 순간 가열하여 촉매 기능을 가지는 금속벽에 충돌시키는 히트 빔 가열 장치에서, 비평형 반응에 의해 활성화 분자종을 효율적으로 생성시켜 베이스체에 분사 접촉시켜 성막한다.