发明名称 薄膜形成装置
摘要
申请公布号 TW081898 申请公布日期 1986.10.16
申请号 TW075203322 申请日期 1985.02.27
申请人 塞吉南思耳公司 发明人
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种于辉光放电分解薄膜形成装置,由直线状设置之复数的高频率电极对列之一列或平行配列之复数列以及在该电极对列之两侧和电极对列成几乎平行而如配置基板所设之基板移动装置而构成为其特征之薄膜形成装置。2.一种如请求专利部份第1项记载之薄膜形成装置,前述基板移动装置乃为在基板和电极对列之距离保持下使基板移动者。3.一种如请求专利部份第2项记载之薄膜形成装置,前述移动为重覆之来回移动者。4.一种如请求专利部份第3项记载之薄膜形成装置,前述来回移动之振幅宽度为电极对间隔之1/4以上者。5.一种如请求专利部份第2项记载之薄膜形成装置,前述移动为一方向移动者。6.一种如请求专利部份第1项、第2项、第3项或第5项记载之薄膜形成装置,前述高频率电极为无+、—区别之电极(浮动)者。7.一种如请求专利部份第6项记载之薄膜形成装置,前述高频率电极之电极断面为圆形或椭圆形者。8.一种如请求专利部份第1项、第2项、第3项、第4项、第5项、第6项或第7项记载之薄膜形成装置,前述高频率之频率为1 KHZ - 1OO MHZ者。9.一种如请求专利部份第1项记载之薄膜形成装置,设有可加热前述基板之加热器者。10.一种如请求专利部份第1项记载之薄膜形成装置,前述薄膜形成装置具有多室构造者。11.一种如请求专利部份第10项记载之薄膜形成装置,前述多室构造以具有缝之隔板隔开,而被隔开之室以微分排气者。
地址 法国.巴黎75018.马哈街3号