| 主权项 |
1.一种制备电气装置之方法,此装置包括:(1)由交联导电聚合体成份所构成之PTC元件,此种聚合体成份显示出PTC的功能,且系由含有结晶聚合体及散布在聚合部份之微粒导电填料所构成及;(2)含有以电气方式连接至PTC元件及可接至电源以使电流流经元件之两电极;此种方法所含之步骤:(a)至少使部份之PTC元件经历头一个交联步骤;(b)至少将部份交联之PTC元件加热至高于Ti之温,此处Ti为导电聚合体开始融化之温度;(c)至少使部份已交联加热及冷却过之PTC元件经历第二个交联步交联。2.根据上述请求专利部份第1项之方法,其PTC元件于步骤(a)中系藉于5至60毫雷得之辐射剂量照射予以交联,并在步骤(d)中系藉于至少10毫雷得之辐射剂量照射予以交联。3.根据上述请求专到部份第1或2项之方法,其中PTC元件之全部系在(a)及(d)束之个步骤中予以照射,只有在电极之附近之PTC元件之一部份是在步骤(a)及(d)之其他步骤中予以照射。4.根据上述请求专利部份任一项之方法,在步骤(d)中,交联后之PTC元件系加热至TM以上之温度,TM为导电聚合体完全融化之温度。5.根据上述请求专利部份任一项之方法,在步骤(c)中,交联及加热后之PTC元件系在发生再结晶之整个温度范围内以每分钟少于4℃速度予以冷却。6.根据上述请求专利部份任一项之方法,其中电气装置为一种在室温下拥有少于100欧姆电阻之电路保护装置;导电聚合体成分于23℃时拥有于50欧姆.公分之电阻;每一个电极都有一般为柱状之电气活表面,且两电极(a)系彼此互相平行(b)系埋入PTC元件内且与PTC元件作实体接触。7.根据上述请求专利部份任一项之方法,其中导电聚合体系田于聚乙烯中之碳黑所构成。8.电阻値少于100欧鉧之电路保护装置,此装置包括:(1)由交联导电聚合体成份构成的PTC元件,此种聚合体成份显示出PTC的功能且系由含有结晶聚合体及散布在聚合部份之微粒导电填料所构成;及(2)含有以电气方式连接至PTC元件及可接至电源以使电流流经PTC元件之两电极。如果藉由一600伏交流电源所供给之电流流经此装置 1安培之电流,上述电路保护装置就转变成平衡之高温度与高电阻状态,PTC元件则拥有平稳状态之最高平面温度,此温度变为TM之1.2倍,最好是最多为TM之1.1倍,TM是导电聚合体完全融解之摄氏温度。9.根据上述请求专利部份第8项之装置,其中流经两电极之间流经PTC元件之几何最短电流通路,依序包含已经吸收辐剂量D1毫雷得之第一段,已经吸收辐射剂量D2毫雷得之第二段,及已经吸收辐射剂量D3毫雷得之第二段,其中D2/D1之比率最少为1.5倍,D2/D3之比率最少亦为1.5倍,D1.D3为相同或者不同。10.制造电气装置之方法,包括:(1)由交联导电聚合体成份构成之PTC元件,此种聚合体成份显示出PTC的功能且系由含有聚合体及散布在聚合部份之微粒导电填料所构成;及(2)含有以电气方式连接至PTC元件及可接至电源以使电流流经PTC元件之两电极。此方法使PTC元件经历辐射交联而使两电极之间流经PTC元件之几何最短电流通路,依序包含已经吸收辐剂量D1毫雷得之第一段,已经吸收辐射剂量D2毫雷得之第二段及已经吸收辐射剂量D3毫雷得之第三段,其中D2/D1之比率最少为1.5倍,D2/D3之比率最少亦为1.5倍,D1.D3为相同或者不同。 |
