半导体雷射

主权项

一种半导体雷射,至少在散热座侧于邻接活性层处具有包盖层,包含有AlGaInP层,该层呈现有对上述活性层的载子进行禁止进入的效果,具有范围小的厚度,具有比上述活性层大的能量能带隙幅度;和包含有AlGaAs 层,其热传导度比AlGaInP 层者高,其屈折率比上述活性层者小,主要的功能用来进行光的禁止进入;由AlGaInP 层和AlGaAs 层来形成半导体雷射为其特征。