| 主权项 |
1.在半导体之物体上提供绝缘接触开口之改良方法,此法包含下列步骤:在该实体形成第一介电层,该第一介电层具有第一次反流温度;在该第一介电层之上形成第二介电层,该第二介电层具有低于第一反流温度之第二反流温度;将该实体加热至该第二回流温度在该第二介电层形成抗光剂层,并在该抗光剂层形成开口,使该第二介电层之一部份暴露出;将该第二介电层暴露之部份除去,使该第一介电层之一部份暴露;将该第一介电层暴露之部份除去,使该实体之一部份暴露;将该实体加热至该第二回流温度由是得以实现具有两阶段斜坡轮廓之改良绝缘接触开口。2.根据上述请求专利部份第I项所述之方法,其中该第一介电层为碉矽酸盐玻璃。3.根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中该第二层包含硼磷矽酸盐玻璃。4.根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中该第二反流温度约为920C5.根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中该第二介电层曝露之部份系着均等蚀刻除去。6.根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中该第一介电层曝露之部份系藉异等蚀刻法除去。7.在半导体之实体上形成接触之方法其方法包括下列步骤:在该实体上形成第一介电层.该第一介电层具有第一反流温度及第二蚀刻速率;在该第一介电层上形成第二介电层,该第二介电层具有第二反流温度及第二蚀刻速率,该第二反流温度较第一反流温度为低.该第二蚀刻速率较该第一侵蚀速率为高;将该物体加热至第二反流温度;在该第二介电层形成一掩蔽层;在该掩蔽层界定开口.使该第二介电层曝露;除去该第二介电层曝露之部份,使该第一介电层曝露;除去该第一介电层曝露之部份,使该实体曝露;将该实体加热至该第二反流温度在该物体之该曝露部份形成导电层;由是得以实现良好之接触。8.根据上述请求专利部份第7.项所述之方法,其中该第一介电层包含硼矽酸盐玻璃。9.根据上述请求专利部份第7项所述之方法.其中该第二介电层包含硼磷矽酸盐玻璃。10.根据上述请求专利部份第7项所述之方法,其中该第二反流温度约为920C。11.根据上述请求专利部份第7项所述之方法.其中该掩蔽层包含抗光剂。12.根据上述请求专利部份第7项所述之方法,其中该第二介电层系用温蚀刻法除去。13.根据上述请求专利部份第12项之方法,其中该湿蚀刻系均等性。14.根据上述请求专利部份第7项之方法,其中该第一介电层系用电浆蚀刻法除去。15.根据上述请求专利部份第14项之方法,其中该电浆蚀刻系异等性。16.根据上沛请求专利部份第7项之方法,其中该第一及第二介电层氢可渗透。17.根据上述请求重利部份第7项之方法,其中导电层系由金属组成。 |
