| 摘要 |
<p>Composition composée essentiellement de MTiOXO4 cristallins dopés (où M est choisi dans le groupe composé de K, Rb et Tl, X est choisi dans le groupe composé de P et de As) lesquels contiennent au moins environ un total de 100 ppm d'au moins un dopant choisi dans le groupe composé de Ga, Al et Si. Les compositions présentent une faible conductivité ionique, et peuvent être préparées à l'aide d'un procédé amélioré de flux, dans lequel on ajoute un dopant Ga, Al et/ou Si au flux, en une quantité totale d'au moins environ 0,5 mole %, et on régule la température de cristallisation afin d'obtenir une composition cristalline contenant la quantité voulue de dopant.</p> |
