发明名称 |
多孔硅材料的制配方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制配方法,特别涉及一种多孔硅材料的制配方法,制配方法为:单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中,单晶硅片接电源负极,电源正极接有铂电极,单晶硅片经通电腐蚀,清洗吹干后经高温氧化,形成多孔硅材料;将荧光高分子溶液旋涂到经上述制配方法所得的多孔硅材料上,经干燥处理后,得用于爆炸品荧光检测材料。 |
申请公布号 |
CN105970278A |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201610273204.1 |
申请日期 |
2016.04.27 |
申请人 |
杭州芬得检测技术有限公司 |
发明人 |
程露丹;张赞;马辉 |
分类号 |
C25F3/12(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
C25F3/12(2006.01)I |
代理机构 |
浙江永鼎律师事务所 33233 |
代理人 |
陆永强 |
主权项 |
多孔硅材料的制配方法,其特征在于:单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中,单晶硅片接电源负极,电源正极接浸入电解池中的铂电极,通电对单晶硅片进行腐蚀,腐蚀结束后对单晶硅片进行清洗,并做干燥处理,所述的电解液为按体积比为1:1~7的乙醇与重量浓度为40%的氢氟酸混合所得的溶液。 |
地址 |
311100 浙江省杭州市余杭区仓前街道绿汀路1号3幢492室 |