| 主权项 |
1.一种使积体半导体基底平面化之方法,用来在其上构建一个电机械装置,该方法所包含之步骤有:形成一个第一间隔物包含有平面化液体有机材料覆盖在该基底;对该第一间隔物进行图型制作和热化,用来形成该电机械装置之第一支持支柱电极;形成该电极覆盖在该第一间隔物;形成一个第二间隔物包含有平面化液体有机材料盖覆在该电极;对该第二间隔物进行固型制作和热化,用来形成该电机械装置之机械部份之第二支恃支柱;在该第二间隔物上建立多个机械元件由该第二支持支柱来支持;和移去该第一和第二间隔物。2.如上述申请专利范围第 1 项所述之方法,其中该移去步骤容许机械间隙存在于该积体半导体基底之某些部份和该形成电极之间,以及该形成电极之某些部份和该建立之机械元件之间。3.如上述申请专利范围第 2 项所述之方法,其中该基底是CMOS基底具有传统式之氧化物或氮化物保护顶部涂覆,在其上形成该平面化液体。4.一种用来使现存之CMOS基底平面化之方法,该CMOS基底包含有一些积体电路和形成具有传统式之保护氧化物或氮化物顶部涂覆,和其中该现存基底顶部涂覆所包含之技术缺陷有如异常析出,针孔,陡峭侧壁接点区域和非平面表面等乏技术缺陷,该方法所包含之步骤有:形成平面化材料覆盖在该顶部涂覆;对该平面化材料进行图型制作,藉以形成支持支柱在实体上与该顶部涂覆互相接触;熟化该平面化材料使其承受第一温度;在该熟化之平面化材料之顶部上形成第一机械结构包含有一些支持支柱在实体上与该顶部涂覆互相接触;和移去该熟化后之平面化材料,使该顶部涂覆和该形成之第一机械结构之间留下一个机械间隙,除了接触该顶部涂覆之该机械结构之该支持支柱所处之位置外。5.一种电机械装置具有一个可选择移动之机械部份被构建在一个积体半导体基底上,该基底被平面化,该装置包含:材料覆盖在该基底上;该第一间隔物包括有第一支持支柱用来支持该电机械装置之电极;形成第二间隔物,包含有平面化液体有机材料覆盖在该电极;该第二间隔物包括有第二支持支柱用来支持该电机械装置之机械部份;在该第二间隔物上建立多个机械元件由该第二支持支柱来加以支持;和移去该第一和第二间隔物,藉以容许该机械部份对该基底作相对移动。形成第一间隔物,包含有平面划液体有机6.如上述申请请专利范围第 5 项所述之装置其中该基底是CMOS基底具有传统式之氧化物或氮化物保护顶部涂覆,在其上形成该平面化间隔物。图示简单说明:图 1 是基底,用来显示CMOS技术缺陷;图 2 是一个基底加入有一个间隔物用来去除CMOS技术缺陷之影响和显示有一些覆盖电极;图 3 是移去间隔物前之完成之结构;和图 4 是移去间隔物后之完成之结构。 |
