发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SILICONE SINGLE CRYSTAL INGOT AND SILICONE SINGLE CRYSTAL INGOT MANUFACTURED BY THE METHOD
摘要 실시예는 챔버; 챔버 내에 배치되고, 실리콘 용융액을 수용하는 도가니; 도가니의 외측에 배치되어 도가니를 가열하는 히터; 챔버 내에 배치되는 열차폐부; 및 실리콘 용융액으로부터 성장하는 단결정을 인상시키는 인상부; 를 포함하는 실리콘 단결정 성장 장치를 이용한 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법에 있어서, 넥부, 숄더부 및 바디부를 각각 성장시키는 단계를 포함하고, 숄더부를 성장시키는 단계는 숄더부의 인상 속도를 제1 인상속도에서 제2 인상속도로 감소시키고, 공정 온도 하강 관리값을 제1 관리값에서 제2 관리값으로 감소하는 제1 단계; 및 숄더부의 인상 속도를 제2 인상속도로 유지하고, 상기 공정 온도 하강 관리값을 제2 관리값으로 유지하는 제2 단계; 를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 단결정 잉곳을 제공하여, 제조된 실리콘 단결정 잉곳의 숄더부 형상을 제어하여 유전위화 빈도를 줄임으로써 고품질의 단결정 잉곳을 얻을 수 있다.
申请公布号 KR101680215(B1) 申请公布日期 2016.11.28
申请号 KR20150001776 申请日期 2015.01.07
申请人 주식회사 엘지실트론 发明人 강종민;송도원
分类号 C30B15/20;C30B29/06 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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