| 主权项 |
1﹒一种用于提高以液体吸收气气量的方法,其藉着在含液体的充气槽中控制液体环流量而达成氧气吸收量的增加;所使用水槽的大小和所装设充气器之空气放射特性,须使得接近槽底的总截面上,只有一部份是被充气器密集充气的;其中此方法的改善处包括,可完全或部份抑制因上升空气的膨胀作用而被向上置换的液体从它到达水槽液体主体表面区域处向外侧流动。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中接近液体主体之表面而被向上置焕之液体的一部份会由该区域以预定的方向向外侧流动。3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中水槽的形状为多角形,并且被向上置焕之液体的该部份,会优先的流向水槽的角落。4﹒一种用于提高以液体吸收氧气量的系统,其藉着在含液体的充气槽中控制液体环流量而达成氧气吸收增加的目的;其中在接近水槽底部有一个充气器,可将气泡通入水槽中,其空气放射之特性须使得接近槽底的总截面上,只有一部份是被密集充气;其中此系统的改善处包括:在水槽液体主体的表面上安装设备,其可完全或部份抑制因上升空气的膨胀作用而被向上置换的液体从它到达水槽液体主体表而区域处向外侧流动。5﹒如申请专利范围第4项之系统,其中该种抑制设备包括垂直排放的板壁,其可围出正方形、矩形或多角形的环绕体,在顶端及底部皆有开口;以及支撑在水槽中之环绕体的设备,其可使环绕体位于密集充集区之上。6﹒如申请专利范围第5项之系统,其中水槽具有许多板壁,并且该种抑制设备包括两面互相平行的板壁构件而安装于该水槽中,且两板壁介于该水槽的两壁之间;每一个板壁构件固定于水槽壁的两端,该板壁构件的相对面系垂直安放,并且和介于它们之间的两个水槽壁构成环绕体,而该环绕体之截面皆大小须使得接近液体主体表面之直接充气液体的整个区域皆被限制于该环绕体中。7﹒如申请专利范围第4项之系统,其中该种抑制设备包括具有弧形垂直表面之板壁,其可定出一个上下开口的圆柱形环绕体;并且用来支撑水槽中之该环绕体的装置位于密集充气区的上方,而该环绕体之截面8﹒如申请专利范围第7项之系统,其中环绕体的截面大小介于2和10公尺之间。9﹒如申请专利范围第7项之系统,其中环绕机的截面大小介于3和7公尺之间。10﹒如申请专利范围第5,6,7,8或9项之系统,其中介于环绕体顶端和底部之间的高度为水槽中之液体高度的10%到70%之间。11﹒如申请专利范围第5或7项之系统,其中该支撑装置包括与该环绕体连接的浮球,以使得环绕体能被液体主体的表面漂浮支撑;以及可用来将该环绕体维持在所选择位置的侧面固定装置。12﹒如申请专利范围第5或7项之系统,其中提供了用来将环绕体牢牢地安装于水槽之装置。13﹒如申请专利范围第5或7项之系统,其中该环绕体安装的高度使得没有任何被空气置换而进入环绕体的液体,可由环绕体的内部溢流过环绕体的顶端,而流入环绕体的外部。14﹒如申请专利范围第5或7项之系统,其中该环绕体安装的高度使得一部份被空气置换而进入环绕体的液体,可由环绕体的内部溢流过环绕体的顶端,而流入环绕体的外部。15﹒如申请专利范围第14项之系统,其中该环绕体在顶端边缘有凹槽,以使得其可进行溢流,并且可控制流出环绕体的液体量。16﹒如申请专利范围第15项之系统,其中该凹槽只存在于该环绕体的某些选择性部位,以使溢流的液体能以远离环绕体的预定方向流出。17﹒如申请专利范围第14项之系统,其中该环绕体在顶端边缘之下有流出的开口,并且开口的位置至少须略低于环绕体内升高液体的液位,以控制流出环绕体的液体量18﹒如申请专利范围第17项之系统,其中该种开口只存在于该环绕体的某些选择性部位,以使向外流的液体能以远离环绕体的预定方向流出。图示简单说明图一是一充气系统所通过的垂直部份,包括一浸式充气器之正方形充气水槽,并说明了在圆柱形环绕体结构的顶端边缘所包含的溢流凹槽。图二是图一之顶视图。图三及图四是类似图一的示意图,其所描述的是圆柱形环绕体,以及一个为在低于顶端边缘上有图形溢流开口,另一个则为完全无凹槽和开口。图五是一充气系统所通过的垂直部份,包括一压力式充气器之正方形充气水槽,并说明了使用一种矩形环绕体。图六是图之俯视图。 |
