| 主权项 |
1﹒一种在晶片任何位置上具有容错电路之半体元件的晶圆测试程序,其容错电路包括要以雷射束来切断的预定元件,所谓的程序包括下列步骤:选择性地去除,藉由光制版术蚀刻程序,供外界连接用之电极垫上的覆盖膜及在晶圆上以覆盖膜遮盖之所谓的预定元件;经由所谓蚀刻出的电极垫以电气性地测试晶圆上之每一个晶片的雷射前测试,并决定可修复的晶片;根据所谓之雷射前测试所得到的修复资料,而以雷射束来修复提供于所谓之可修复晶片上的预定元件;且根据所谓之雷射前测试及所谓之雷射修复的结果,当每一个晶圆的完好比例低于一个预设値时,藉由只测试可修复晶片,是否它们已修复好或没有,来施行最终品质标记;且当所谓的比例不低于预设値时,施行最终品质标记同时省略修复测试,因此所谓的晶圆测试程序藉由一个制造步骤和一个测试步骤而简化。2﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的覆盖膜是由包括PSG膜、氮化膜及它们之组合的集合体中所选定之任何一种研组成。3﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的去除步骤是藉由有效地过度蚀刻一种中间绝缘膜,其放大于覆盖膜和所谓的预定元件之间,而使覆盖膜厚度小于8000A,以减小预定元件使用雷射束的切断失败。4﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的雷射前测试步骤包括,根据受测试半导体元件之最差温度而使测试温度条件最佳化。5﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的品质标记步骤是藉由首先施行品质测试,且接续地施行,根据测试结果,在损坏的晶片上标记品质记号而实施。6﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的修复测试包括,在构装测试中测试具有很多损坏因素之最脆弱的测试项目。7﹒根据申请专利范围第1项之晶圆测试程序,其中所谓的去除步骤是藉由蚀刻出雷射修复用的对准记号部份,同时蚀刻出电极垫来实行。图示简单说明图1是传统晶圆测试程序的程序流程图;图2到图5是显示传统晶圆测试程序之一种二步骤制造程序的断面视图;图6是根据本发明以解释晶圆测试程序的流程图;图7及8是根据本发明以解释晶圆测试程序之一种简化的一步骤制造程序的断面视图;图9是雷射前测试之结果的晶圆图;且图10是晶圆图,其根据本发明而显示出可修复晶片的位置资料。 |
